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【原創】手把手;教你讀懂FET [查看此貼精編版]
閱讀: 91530 |  回復: 822 樓層直達

2010/07/06 10:15:53
1
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

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現在;一臺臺電源,幾乎都能發現FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當個開關。

由于用處不同;每個廠家都對不同用處FET做了專門優化。以致同樣耐壓/電流的FET;有多個型號。自然;每個廠家都有其獨特的特點。高低貴賤;百花齊放

可見;作為工程師,讀懂FET;選取最合適的器件,是多重要!

2010/07/06 10:22:36
2
電源網-娜娜姐
電源幣:457 | 積分:207 主題帖:293 | 回復帖:1807
LV10
司令
頂蜘蛛!~繼續哈~
2011/05/30 11:46:22
463
月落西山日升東
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:5
LV1
士兵
不錯的帖子。。。
2011/07/18 11:08:52
468
no-admin
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:42 | 回復帖:471
LV8
師長

我從業多年的MOSFET的行業,對你所寫已經拜讀,受益匪淺。

 

2011/10/23 22:02:25
514
yuzixuan
電源幣:154 | 積分:0 主題帖:7 | 回復帖:165
LV8
師長
這是行業內資深人士對樓主的肯定嘍!就沒有什么再補充的了?
2013/01/03 16:26:31
603
A級MOS大全
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:244
LV7
旅長
插隊看看
2013/01/11 20:33:29
628
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
學習了!
2012/09/05 23:03:30
570
rombo307
電源幣:10 | 積分:0 主題帖:9 | 回復帖:29
LV4
連長
mark
2012/11/10 01:17:23
579
dulai1985
電源幣:360 | 積分:0 主題帖:458 | 回復帖:1164
LV10
司令
2012/11/03 01:08:41
577
dulai1985
電源幣:360 | 積分:0 主題帖:458 | 回復帖:1164
LV10
司令
請講吧~~~
2013/01/11 20:31:55
627
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥

用處太多了!

2013/04/11 13:27:34
696
zc437041363
電源幣:2 | 積分:0 主題帖:9 | 回復帖:6
LV3
排長

水蜘蛛,想請教我做Boost升壓電路,二極管用MOSFET代替做同步整流,但是發現下管的毛刺很大,上管倒沒什么毛刺,原理圖和波形如下圖所示,請教如何解決,謝謝。 

Q1波形: 

Q2波形

 

2013/04/11 22:33:49
697
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
Q1開太快了;加大正向開通柵電阻即可。
2013/05/10 21:15:13
717
chenyankun
電源幣:1299 | 積分:14 主題帖:21 | 回復帖:545
LV8
師長

是Q2開的太快了吧?

2014/05/05 19:39:23
768
feige1001
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:7
LV1
士兵
怎么看出來了,示波器上有顯示的嗎?
2014/12/24 10:46:41
781
wangmeng861212
電源幣:2 | 積分:0 主題帖:2 | 回復帖:54
LV4
連長
大師級別的帖子
2014/03/18 08:51:46
764
朱旋偉
電源幣:85 | 積分:0 主題帖:1 | 回復帖:27
LV4
連長
你這個Q2反了吧,
2014/05/05 16:03:40
767
chenyaowin
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:1 | 回復帖:1
LV1
士兵
因為電感,與寄生電容產生的震蕩
2014/09/17 10:15:18
777
汪亮
電源幣:22 | 積分:3 主題帖:0 | 回復帖:5
LV1
士兵
2010/07/06 10:44:01
3
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
FET管是由一大群小FET在硅片上并聯的大規模集成功率開關。每個小FET叫胞,每個胞的電流并不大,只有百毫安級。設計師采用螞蟻捍樹的辦法;多多的數量FET并聯;達到開關大電流。也就是同樣大小硅片和耐壓下;胞越多;允許電流越大。
2010/07/06 13:58:46
9
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
FET里;不僅FET胞是并聯的,寄生二極管也是很多并在一起的!
2010/07/06 22:11:03
12
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

得益于多胞結構;FET的寄身二極管擁有了耐受電壓擊穿的能力。即所謂的雪崩耐量。在數據表中;以EAR(可重復雪崩耐量)和EAS(單次雪崩耐量)表示。它表征了FET抗電壓(過壓)沖擊的能力。因此;許多小功率反激電源可以不用RCD吸收,FET自己吸收就夠了。

 

2010/07/07 10:57:36
14
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

用在過壓比較嚴重的場合,這點要千萬注意啊!大的雪崩耐受力;能提高系統的可靠性!

FET的這個能力和電壓;終身不會改變!

2011/10/23 21:55:17
513
yuzixuan
電源幣:154 | 積分:0 主題帖:7 | 回復帖:165
LV8
師長
能力應該越來越弱吧?
2011/05/02 11:34:43
431
加伊
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:15 | 回復帖:69
LV4
連長

旅長,能不能繼續講講雪崩及雪崩耐量。

2014/05/05 19:40:07
769
feige1001
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:7
LV1
士兵
同問,雪崩能理解,耐量是什么?
2011/09/08 04:07:27
491
zxl197654
電源幣:3 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:15
LV2
班長
**此帖已被管理員刪除**
2011/10/18 16:03:24
510
賀赫無名
電源幣:187 | 積分:10 主題帖:23 | 回復帖:1290
LV9
軍長
嚴重鄙視這個打廣告的,不懂發亂信息
2013/01/11 22:01:56
638
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥

廣告!

2011/09/09 21:41:37
493
bumper_163
電源幣:7207 | 積分:0 主題帖:133 | 回復帖:450
LV7
旅長
關注
2013/01/05 15:41:58
620
fjfhjmh
電源幣:451 | 積分:0 主題帖:43 | 回復帖:461
LV9
軍長

先頂一個再學習

2013/09/11 07:41:16
752
75482758
電源幣:43 | 積分:0 主題帖:10 | 回復帖:392
LV6
團長
學到新東西了,感謝
2011/10/23 22:07:45
515
yuzixuan
電源幣:154 | 積分:0 主題帖:7 | 回復帖:165
LV8
師長

FET胞?這么多胞,萬一壞了幾個,怎么辦?

要是斷路還好,可短路呢?

2011/10/23 22:19:19
516
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
為啥壞?萬事總有律。萬一壞就是使用或工藝卻選。現在的超大規模集成電路可靠工作時間已經遠超一個人的壽命。它們是工業之花;沒兩刷是做不好的。
2013/01/11 22:03:14
639
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
那就都壞啊!
2013/01/11 22:49:49
648
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥

正解!

2015/01/18 14:40:12
783
she445719602
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:1
LV1
士兵
蜘蛛老師,在MOSFET中的寄生二極管是只要給這個二極管正向電壓就導通嗎?在一本書中有傾向說在觸發之后才導通
2015/01/27 17:05:07
784
kukicap
電源幣:2 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:1
LV1
士兵

應該是是觸發之后才導通的,用萬用表的二極管檔側NMOS,紅表筆接柵極G,黑表筆接源級S,此時會給柵極留下部分電荷,由于MOS的柵極記憶效應(本質是Cgs這個寄生電容吧),電荷會在柵極中保存一段時間,將表筆接漏極D,源級S,此時無論正向還是反向都會聽到蜂鳴器叫,說明MOS的DS之間導通。短接GS,此現象消失。記得有人說晶體管本質是電荷控制型元件,倒是很貼近現實。   以上是這段時間總結下來的,請蜘蛛老師看看對否,我不想誤導大家。

2015/04/02 10:02:52
788
Temo
電源幣:232 | 積分:13 主題帖:7 | 回復帖:65
LV5
營長
這個試驗過,和樓主說的一樣。
2015/12/05 15:10:20
794
dianzigou666
電源幣:0 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:12
LV2
班長
實驗的確是如此,但這并不能證明二極管的導通是需要以MOS開通為前提的,在你這個實驗中,D,S是不能導通的。我實驗了一下,直接在IRF540的D,S兩端加直流電壓,并且串入一個1K的電阻來限流,發現,二極管是可以導通的,壓降在0.6左右。所以我認為二極管的導通是不需要以MOS的導通為前提。
2018/09/18 09:31:46
809
天行劍
電源幣:0 | 積分:3 主題帖:4 | 回復帖:2
LV1
士兵
寄生二極管可以看成一個獨立的二極管,無需MOS管導通。
2011/09/18 23:16:37
503
wuqingge
電源幣:922 | 積分:0 主題帖:4 | 回復帖:219
LV8
師長
蜘蛛講的真好,受益匪淺
2012/07/23 21:51:06
553
hechaocao
電源幣:256 | 積分:0 主題帖:10 | 回復帖:181
LV5
營長
2013/01/11 20:34:52
629
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
學習了!
2013/01/25 14:39:58
681
fjfhjmh
電源幣:451 | 積分:0 主題帖:43 | 回復帖:461
LV9
軍長
向你學習
2013/03/31 10:06:47
690
chenyankun
電源幣:1299 | 積分:14 主題帖:21 | 回復帖:545
LV8
師長
有點深奧,不太好理解
2013/05/20 15:28:43
721
hanjiaerlang
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:1 | 回復帖:5
LV1
士兵

 蜘蛛老師,最近幫同學做畢設,仿真一個單周期控制的boost功率因數校正電路,但是總是得不到理想波形,開關管mosfet的導通電壓特別大,應該是因為選型不對吧,輸入220v交流經不控整流再boost升壓,用pspice仿真,該怎么選型呢。

綠色的為mosfet的波形:

 

2014/05/06 17:33:37
772
zoufeihu
電源幣:393 | 積分:0 主題帖:10 | 回復帖:114
LV5
營長
這么多硅片并聯,寄生電容那不是很大了
2010/07/06 11:14:31
4
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

每個胞的原理結構如圖示

 

紅色指示的是FET開關的溝道,蘭色的是寄生的體二極管。

2010/07/06 11:20:45
5
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

平時;FET是關斷的。當柵上加正壓時;在鄰近柵的位置;會吸引許多電子。這樣;鄰近的P型半導體就變成了N型;形成了連接兩個N取的通道(N溝道),FET就通了。顯然;FET的耐壓越高;溝道越長;電阻越大。這就是高壓FET的RDSON大的原因

反之;P溝FET也是一樣的,這里不在敘述。

2010/07/06 11:29:20
6
謝厚林
電源幣:14 | 積分:87 主題帖:43 | 回復帖:3093
LV12
元帥
頂一下,繼續
2010/07/06 11:31:33
7
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

謝謝關注!

2010/11/17 14:08:57
410
lovelyday823
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:35
LV3
排長
好強大!學習中,寄生二極管是這么回事 呵呵 讀書不精啊
2010/11/26 19:33:29
416
wzx123
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:184
LV5
營長
謝謝樓主,場效應管學好了不容易,參數其實很多的,學習中
2011/12/01 16:18:37
523
zq2007
電源幣:174 | 積分:0 主題帖:122 | 回復帖:3590
LV11
統帥
版主講的很細致,不贊都不行,大家頂起來
2013/01/11 23:19:09
649
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
解釋得很好啊!
2013/04/12 14:05:48
698
龍騰郭工
電源幣:6 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:22
LV3
排長
先頂一個!
2010/07/06 11:36:41
8
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

所以;功率FET,常被等效為:

 

2010/09/24 11:29:08
353
huhuayi
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:7 | 回復帖:89
LV5
營長

好貼就得頂

2010/12/20 16:30:54
419
258481469
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:2 | 回復帖:36
LV3
排長

蜘蛛大師,我一直以為你圖上標的寄生二極管是封轉進去的穩壓管…暈呀…

2010/12/20 18:53:37
420
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
這可是強行搭配的。
2012/11/14 00:19:41
586
1083497254
電源幣:8 | 積分:5 主題帖:10 | 回復帖:30
LV4
連長
是的,今晚看了一晚上功率mos,本周五考試,電力電子器件。。。。明天看IGBT
2011/08/11 22:11:48
471
quandesz
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:2
LV1
士兵

 蜘蛛老師,請幫我看一下我的仿真,一個是原理圖,另一個是靠近GND的電流傳感器的波形,為什么會有這么大的尖峰,是米勒效應的結果嗎

 

 

 

2011/08/12 12:13:37
472
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
加死區了嗎?
2012/04/18 18:47:29
544
smilebababy
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:9 | 回復帖:8
LV2
班長
問下這仿真軟件叫什么哈
2012/11/03 01:10:23
578
dulai1985
電源幣:360 | 積分:0 主題帖:458 | 回復帖:1164
LV10
司令

SABER

2013/01/20 10:06:16
674
小礦石
電源幣:1051 | 積分:0 主題帖:67 | 回復帖:1079
LV10
司令
2012/02/27 09:06:24
543
nanjingjing
電源幣:1 | 積分:0 主題帖:2 | 回復帖:10
LV3
排長
繼續關注
2012/09/04 16:12:33
566
老鐘電源IC
電源幣:541 | 積分:0 主題帖:29 | 回復帖:2100
LV11
統帥
關注學習
2013/01/11 23:20:35
650
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
寄生電容呢?
2013/06/05 19:59:26
729
girirafa
電源幣:35 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:2
LV1
士兵
哇,原來這個符號是這么得來的,一直在納悶呢,謝啦
2013/07/28 08:41:42
745
zaishangshan
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LV1
士兵
以為那個二極管是故意做進去的,原來是寄生的!!……
2013/11/04 17:10:17
754
55電源
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:6
LV1
士兵
蜘蛛老師,我們正在用MOSFET做全橋同步整流,不知道為什么總是不對,幫我們看看這個原理圖吧
2013/11/26 15:57:36
757
qilin3
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LV2
班長
做個記號~
2010/07/12 22:32:56
47
monchouchou
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LV2
班長
MOSFET一直在用,看了這個帖子發現基礎知識又忘了,或許根本就沒搞懂過,一些弱弱的問題不敢問,還是看看書先,嘿嘿!
2010/07/13 22:10:52
54
einfen
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LV5
營長

大哥,問一下。這個溝,是什么溝,還是和實際聯系不到一起去。怎么看啊,解釋下,呵呵。

2010/07/13 22:38:39
55
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

4樓圖里紅圈圈起的位置。

2010/07/15 22:39:12
96
einfen
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:10 | 回復帖:153
LV5
營長

左邊兩個紅圈圈之間是一個溝,右邊兩個紅圈圈是一個溝嗎,那樣就和fet的符號很相,很形象。

2010/07/15 22:42:14
97
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
兩邊的溝是并聯的。算作一個溝吧!
2010/07/15 22:50:37
99
einfen
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:10 | 回復帖:153
LV5
營長
哦,大哥,您在線的,呵呵,感謝啊。總的來說,這個圖還是沒法讓我明白,呵呵,是頂視,還是正視啊!有沒有更形象的圖,tks
2010/07/15 22:54:08
100
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
垂直剖面圖
2010/08/13 23:01:20
223
einfen
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:10 | 回復帖:153
LV5
營長

  

這個圖更好看點,呵呵。。。  

2011/05/21 10:16:10
448
liht1634
電源幣:42 | 積分:0 主題帖:6 | 回復帖:21
LV3
排長
截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零
P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏,漏源極之間無電流流過
 
導電:在柵源極間加正電壓UGS
柵極是絕緣的,所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區中的空穴推開,而將P區中的少子——電子吸引到柵極下面的P區表面
當UGS大于UT(開啟電壓或閾值電壓)時,柵極下P區表面的電子濃度將超過空穴濃度,使P型半導體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結J1消失,漏極和源極導電
 
上個大圖:

2011/08/24 09:08:41
481
mjun
電源幣:123 | 積分:0 主題帖:9 | 回復帖:224
LV7
旅長

不錯,很形象!!拜讀了!!

2013/01/05 15:42:33
621
fjfhjmh
電源幣:451 | 積分:0 主題帖:43 | 回復帖:461
LV9
軍長
圖看不到
2013/01/11 22:28:22
642
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
學習了!
2012/11/14 00:24:57
587
1083497254
電源幣:8 | 積分:5 主題帖:10 | 回復帖:30
LV4
連長
一個圈內是一個溝道,溝道很短的
2013/01/11 22:40:09
643
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
學習了!
2014/05/06 10:12:29
770
yiligd
電源幣:25 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:41
LV4
連長
led防水電源進來學習了,各位大神辛苦了~
2013/01/11 23:29:58
651
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
同問!
2010/07/15 16:00:10
68
NIUXG
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:5
LV2
班長

您好!

實際中的這個圖是垂直的還是平面!

2010/07/15 22:43:26
98
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

垂直的!

這是示意圖,實際器件和這圖有些出入。

2013/01/11 22:43:08
644
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
是啊!
2012/11/16 09:47:28
594
llwj03
電源幣:107 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:6
LV1
士兵
同問
2010/08/27 21:05:51
255
sl_power
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:2 | 回復帖:203
LV7
旅長
蜘蛛兄圖文并茂,深入淺出 ,好貼要頂,樓主繼續
2010/09/06 22:25:17
277
失路英雄
電源幣:4 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:18
LV2
班長

 這是一個非常形象的NPN型mos,請問drain和source分別是哪部分。光看圖無法形象地理解寄生二極管是如何并聯到漏極和原極上的。如果drain和source分別是下圖標的這樣,那么寄生的應該是一個NPN結,而不是一個簡單的PN結啊。望指教!

謝謝!

2010/09/06 22:49:54
278
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

下面是D上面是S

2010/09/06 22:52:45
280
失路英雄
電源幣:4 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:18
LV2
班長
那我這個圖就標反了。但是這樣的話,PN結不就和MOS管的方向一樣了么?
2013/01/11 22:44:03
645
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
是的!
2010/09/06 22:51:35
279
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
PN結只是其中的一部分
2010/09/06 22:54:07
281
失路英雄
電源幣:4 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:18
LV2
班長
明白。但是PN結是反向并聯在SD極上的啊
2010/09/06 22:58:14
282
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

是的;硅片上的確是這么做的

2010/09/06 22:59:08
283
失路英雄
電源幣:4 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:18
LV2
班長
收到!謝謝指教!
2013/01/11 22:45:46
646
Constance[版主]
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LV11
統帥
確定么?
2013/01/05 15:43:15
622
fjfhjmh
電源幣:451 | 積分:0 主題帖:43 | 回復帖:461
LV9
軍長
是的
2011/05/24 13:51:22
454
huhuayi
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:7 | 回復帖:89
LV5
營長
學習了
2012/11/14 00:39:54
588
1083497254
電源幣:8 | 積分:5 主題帖:10 | 回復帖:30
LV4
連長
ds間就是那個二極管。圖是我畫的,不知怎么傳上來。。。。
2012/11/14 00:42:13
589
1083497254
電源幣:8 | 積分:5 主題帖:10 | 回復帖:30
LV4
連長
 
2013/08/10 22:43:09
748
mnight
電源幣:88 | 積分:1 主題帖:16 | 回復帖:30
LV4
連長
感覺還是這個圖最直觀,呵呵。
2013/01/11 22:46:59
647
Constance[版主]
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LV11
統帥
附件a !
2014/12/26 09:54:40
782
1185391239
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LV2
班長

這樣子的

2010/09/17 10:39:00
335
erwa
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LV3
排長

源極和漏極在哪啊?

2010/09/17 10:54:19
336
水蜘蛛
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LV8
師長

S(Source)指的是源極

D(Drain)指的是漏極

2013/01/11 23:31:18
652
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
正解!
2010/09/17 15:49:12
337
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

erwa:仔細看這圖!

2011/05/21 10:17:34
449
liht1634
電源幣:42 | 積分:0 主題帖:6 | 回復帖:21
LV3
排長
 
2011/08/12 12:50:25
473
笨小孩1114
電源幣:577 | 積分:0 主題帖:24 | 回復帖:1143
LV10
司令

好啊!一語驚醒夢中人啊!繼續。。

2013/01/11 23:34:43
653
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
2013/01/11 20:36:21
630
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
畫得不錯!
2013/01/11 22:04:32
640
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
2013/07/15 14:38:32
744
talanton
電源幣:414 | 積分:0 主題帖:9 | 回復帖:11
LV3
排長

這個溝道指的有點不妥吧,柵下面的都是溝道啊

2010/07/06 15:16:30
10
hypower
電源幣:2 | 積分:15 主題帖:58 | 回復帖:463
LV8
師長

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件. 有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件.具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.

按結構場效應管分為:結型場效應(簡稱JFET)、絕緣柵場效應(簡稱MOSFET)兩大類

  按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.

  按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。

  場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類

場效應管的主要參數

  Idss — 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.

  Up — 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.

  Ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓.

  gM — 跨導.是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數.

  BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于BVDS.

  PDSM — 最大耗散功率,也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量.

  IDSM — 最大漏源電流.是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過IDSM

場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.

  場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙極型器件.

  有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.

  場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用.

 

2010/07/06 15:20:41
11
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長

繼續

2010/07/07 20:43:14
15
no-admin
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:42 | 回復帖:471
LV8
師長
好貼
2010/07/09 09:29:31
26
pudafu1
電源幣:12 | 積分:0 主題帖:1 | 回復帖:67
LV4
連長
hypower老師是哪個學校的教授?向您致敬!有了您們電源網點擊率更高,更精彩!
2011/01/14 15:57:39
421
fkuepfq
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:4 | 回復帖:68
LV4
連長

2011/12/13 10:18:44
528
朱旋偉
電源幣:85 | 積分:0 主題帖:1 | 回復帖:27
LV4
連長
這都是書上有的。
2010/08/11 14:16:50
213
huhuayi
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:7 | 回復帖:89
LV5
營長

頂一頂,看一看,逛一逛,拿一分,我走人

2010/08/11 14:18:15
214
huhuayi
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:7 | 回復帖:89
LV5
營長
不錯,值得學習
2012/09/04 16:15:26
567
老鐘電源IC
電源幣:541 | 積分:0 主題帖:29 | 回復帖:2100
LV11
統帥
講 得很好
2010/08/23 15:44:20
234
xiajianghong
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:5
LV1
士兵

長見識了。

 

2010/08/25 09:09:03
237
yezi930
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:6 | 回復帖:39
LV4
連長

在哪COPY的??居然還這么多人頂!!電源網這么變啦???

2010/08/25 12:15:39
238
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
給個原始聯接!拜托了
2010/09/15 09:42:03
310
hugolam
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:25 | 回復帖:42
LV5
營長

請問hypower先生,"有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好"這句話里面說到的場效應管是指MOS還是結型呢?謝謝!

2011/04/05 15:05:18
429
kohlgao
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:4
LV2
班長
JFET在結構和電路符號上都沒有標出D極和S極的區別,一般來說這兩極互換也能正常工作~
2012/11/14 00:46:46
590
1083497254
電源幣:8 | 積分:5 主題帖:10 | 回復帖:30
LV4
連長
mos反過來用就是個二極管了
2010/11/20 11:30:55
413
劉軍紅
電源幣:187 | 積分:0 主題帖:6 | 回復帖:31
LV3
排長
不錯,受益匪淺!!頂!!
2011/02/11 14:23:26
422
zh5201314ff
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:5
LV1
士兵

真的很好!!!加油

2011/03/19 16:38:47
428
nk6108
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LV8
師長
是教我讀懂 大功率、開關電源用的 MOSFET 也。
2011/05/02 16:10:22
432
加伊
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LV4
連長
希望哪位大俠能夠解釋一下這句話:“PDSM — 最大耗散功率,也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量. ”解釋一下耗散功率是什么意思?網上查閱資料的時候看到耗散功率是與散熱有關的。這里說場效應管實際功耗就是指的這個熱量嗎?那么在實際中,怎么來保證說場效應管的實際功耗小于PDSM呢?求大俠們指教。
2011/05/14 20:44:16
444
luojun
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LV8
師長

器件的結溫等于最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據這個方程可解出系統的最大功率耗散,即按定義相等于I2×RDS(ON)。由于設計人員已確定將要通過器件的最大電流,因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。

http://tech.dianyuan.com/article-2-13051.html

2011/05/15 23:54:20
445
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
建議這位好好看看熱阻究竟是何物。如果MOSFET是線性工作;你這么考慮還可以理解,可這里是開關工作啊!
2011/05/16 17:22:37
446
luojun
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:15 | 回復帖:798
LV8
師長
呵呵,是哦,沒錯兒,這個應該只是在開關工作時候的損耗的一部分
2011/05/14 15:03:55
443
andy12005
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:6
LV1
士兵
2011/08/12 13:04:26
474
笨小孩1114
電源幣:577 | 積分:0 主題帖:24 | 回復帖:1143
LV10
司令
不錯。能不能在講一個實際例子?
2013/01/05 15:44:48
623
fjfhjmh
電源幣:451 | 積分:0 主題帖:43 | 回復帖:461
LV9
軍長

先頂頂在學習

2013/01/11 20:37:55
631
Constance[版主]
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LV11
統帥
好多指標!
2013/01/11 22:05:45
641
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
2013/01/11 23:37:32
654
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
學習了!
2015/01/28 10:56:50
785
juvin
電源幣:31 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:5
LV1
士兵
2010/07/07 02:18:53
13
龍王恨
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:38 | 回復帖:1450
LV9
軍長
好帖得頂,感謝奉獻~~~
2010/07/08 10:32:16
16
wsh5106
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:14
LV2
班長

看模電就可以了~~~

2010/07/08 11:31:37
17
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
呵呵!看看模電書上介紹和工程的區別!看看高手和菜鳥的距離!雖然只是半截貼;也足以讓我等摩拜了!
2010/07/08 11:42:46
18
hpzax
電源幣:49 | 積分:0 主題帖:3 | 回復帖:83
LV4
連長
好帖得頂,感謝奉獻~~~
2010/07/08 12:23:58
19
sometimes[榮譽版主]
電源幣:353 | 積分:26 主題帖:123 | 回復帖:1322
LV9
軍長

就這么完了?繼續阿....

2010/07/08 12:37:09
20
fsxqw
電源幣:80 | 積分:5 主題帖:39 | 回復帖:964
LV9
軍長

說得好!

不過,俺是做MOS管廠家的,你們的信息稍微有點過時了

2010/07/08 12:47:33
21
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
無論多好的好管子;到現在還是這樣接的,只是寄生電阻小了一個數量級而已。你有何高見?
2010/07/13 09:04:02
48
lsej
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:12 | 回復帖:26
LV4
連長

俺是菜鳥,在這里想請問一下大俠,MOS與FET有什么區別?

2010/07/13 09:53:55
49
水蜘蛛
電源幣:811 | 積分:5 主題帖:7 | 回復帖:364
LV8
師長
10樓解釋的很好,建議看看。MOSFET是FET大家屬里的一員。由于功率開關電路里;基本上只用MOSFET,在不致混搖下;一般就直接叫FET了。
2010/07/15 13:50:06
67
lsej
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:12 | 回復帖:26
LV4
連長
多謝大俠的指點!
2013/01/11 23:39:18
655
Constance[版主]
電源幣:2498 | 積分:86 主題帖:107 | 回復帖:1599
LV11
統帥
過時了?
2011/09/21 00:15:19
504
yinxiaofang
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:0 | 回復帖:107
LV4
連長
好內容!留標!
2013/01/11 20:39:13
632
Constance[版主]
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LV11
統帥

膜拜啊!

2010/07/08 13:18:27
22
水蜘蛛
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LV8
師長

FET是實實在在的物質構成的;里面有導體/半導體/絕緣體。這些物質的相互搭配;做成了FET。那么;任何兩個絕緣的導體,自然構成了物理電容——寄生電容。

 

2010/07/08 13:21:09
23
水蜘蛛
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LV8
師長
紅色的就是DS間的寄生電容Coss。藍色的就是密勒電容Cgd。黑色的就是柵原電容Cgs。
2010/07/08 13:24:31
24
水蜘蛛
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LV8
師長

Cgd+Cgs=Ciss——輸入電容

Coss——輸出電容

2012/11/10 01:24:16
581
dulai1985
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LV10
司令
2012/11/28 09:19:26
599
735575630
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LV5
營長
Coss=Cgd+Cds 嗎??
2013/01/11 23:40:31
656
Constance[版主]
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統帥

這個是輸入吧!

2013/01/25 13:01:43
676
735575630
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LV5
營長
是輸出電容!輸入電容Ciss =Cgs +Cgd
2013/01/11 20:41:23
633
Constance[版主]
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LV11
統帥
CISS是什么?
2013/01/25 13:02:40
677
735575630
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LV5
營長
輸入電容
2010/07/08 13:31:29
25
水蜘蛛
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LV8
師長
雖然都是電容,可是;有著本質的區別。想想!!僅從電容特性上想想!
2010/07/09 10:16:06
27
zkybuaa
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LV5
營長
這個帖子好,關注學習學習。
2010/07/09 11:52:54
28
nicekey
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LV7
旅長
蜘蛛好帖,幫頂。。。
2011/08/12 13:11:40
475
笨小孩1114
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LV10
司令

有哪些本質區別 呢?詳細講解一下啦

2013/01/11 20:42:46
634
Constance[版主]
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統帥
什么的區別?
2010/07/09 15:09:00
30
水蜘蛛
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LV8
師長

呵呵!Cgd/Cds的絕緣層里有PN結!Cgs里基本沒這東西!

再看看這個:

變容二極管 

2010/07/09 15:11:35
31
水蜘蛛
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LV8
師長
有何感想?Cgd/Cds容量大小是變的!而且;變得還很變態!
2010/07/10 22:43:29
34
柳揚
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LV3
排長
請繼續.
2010/07/11 21:24:13
36
水蜘蛛
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LV8
師長

        所以;Cgd/Cds在理論上存在,在數據表中也有所列。在微變等效中也可以作為參量計算分析,但;也僅在線性放大里的微變等效分析中有所使用。在開關過程的工程分析中,變態的變化導致只能用電荷量這個值來衡量。

       Qgd就是Cdg儲存的電荷量(彌勒電荷),Qds是Cds儲存電荷量。

2013/01/11 20:45:46
635
Constance[版主]
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LV11
統帥
米勒電容是什么?
2010/08/14 17:16:23
226
hugolam
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LV5
營長

還是看不懂啊  、、、、Cgd/Cds的絕緣層里有PN結,這樣就跟Cgs有什么不同呢?thns!

2012/11/14 01:18:54
591
1083497254
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LV4
連長
Cgd里也有電容嗎?書上說沒有的。我覺得它和Cgs是一樣的,就像上圖,假如藍色電容向左邊移一點就會不在P區完全在n區,Cgd也就沒有經過pn結,是嗎?
2013/01/11 21:07:58
636
Constance[版主]
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LV11
統帥
是的!
2013/01/11 23:42:00
657